Динамическая характеристика транзистора

Динамическим называется режим, при котором изменение входных электрических величин вызывает изменение всех остальных величин усилительного элемента БПТ. Второй закон Кирхгофа для выходной цепи: Транзистор — элемент явно нелинейный на всей плоскости. Достроим ВАХ для R K в системе координат выходных ВАХ БПТ. С другой стороны ВАХ R K — это нагрузочная прямая транзистора. ИРТ лежит на отрезке CD. Max ИРТ — C; min ИРТ — Начиная с некоторого значения I Б динамическая характеристика транзистора точка остается в одном месте, а I К перестает управлять. U КЭн, соответствующее максимальному положению рабочей точки напряжением насыщения соответственно — ток насыщения. В нижней части динамической характеристики одинаковое приращение I Б вызывает равное приращение I Аналогично и вблизи верхней точки — Тогда на границах масштаб нелинейный. Построим проходную динамическую характеристику: зависимость I К от I Б изображена динамическая характеристика транзистора от выходной. Она имеет линейный участок А'-В'. При использовании биполярного транзистора на этом участке управление выходным током т. Именно этот участок проходной динамической характеристики пригоден при использовании транзистора для построения усилителя электрических сигналов. Важно правильно выбрать исходную рабочую точку ИРТкоторая определяет режим работы транзистора по постоянному току. Выбор динамическая характеристика транзистора рабочей точки должен удовлетворять 2 требованиям: I K 0 должен быть выбран так I Б0 — тожечтобы при максимально возможном приращении I Б относительно I Б0, вызываемом сигналом, изменение I К оставалось пропорциональным ему. ИРТ динамическая характеристика транзистора должна выбираться динамическая характеристика транзистора высоко, чтобы снизить потребление от источника питания. При изменении входного тока I Б под действием источника сигнал рабочая точка перемещается по динамической характеристике. Если рабочая точка заходит на нелинейные участки начинается искажение выходного сигнала. Динамическая характеристика транзистора если есть резистор R Э в цепи эмиттера, то: На формуле выше - нагрузка БПТ по постоянному току. Тогда предыдущую часть цепи с полюсами «коллектор» - «эмиттер» можно рассматривать по отношению к R K как эквивалентный генератор переменного тока. В нашем случае R K является также нагрузкой транзистора по переменному току. Если потребитель не допускает протекания через него постоянного тока, то его подключают к эквивалентному генератору через разделительную емкость С Очевидно, что теперь нагрузочная прямая по переменному току будет отличаться от нагрузочной прямой по постоянному она будет наклонена более круто.

См. также